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Advance Technical Information
High Voltage, High Gain
BiMOSFET TM
Monolithic Bipolar
IXBL64N250
V CES
I C110
V CE(sat)
= 2500V
= 46A
≤ 3.0V
MOS Transistor
(Electrically Isolated Tab)
ISOPLUS i5-Pak TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V CES
T J = 25°C to 150°C
2500
V
V CGR
V GES
T J = 25°C to 150°C, R GE = 1M Ω
Continuous
2500
±25
V
V
G
E
C
Isolated Tab
V GEM
Transient
±35
V
I C25
I C110
I CM
T C = 25°C
T C = 110°C
T C = 25°C, 1ms
116
46
750
A
A
A
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
SSOA
(RBSOA)
V GE = 15V, T VJ = 125°C, R G = 1 Ω
Clamped Inductive Load
I CM = 160
V CE < 0.8 ? V CES
A
Features
T SC
(SCSOA)
P C
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
V GE = 15V, T J = 125°C
R G = 5 Ω , V CE = 1250V, Non-Repetitive
T C = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10
50/60Hz, 1 minute
Mounting Force with Clip
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
30..170 / 7..36
8
μ s
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
Nm/lb-in.
g
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
2500V ～ Electrical Isolation
High Blocking Voltage
Low Switching Losses
High Current Handling Capability
Anti-Parallel Diode
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
BV CES
V GE(th)
I C
I C
= 1mA, V GE = 0V
= 4mA, V CE = V GE
2500
3.0
5.0
V
V
Power Supplies
Uninterrupted Power Supplies (UPS)
Capacitor Discharge Circuits
I CES
I GES
V CE = 0.8 ? V CES , V GE = 0V
Note 2, T J = 125 ° C
V CE = 0V, V GE = ± 25V
50 μ A
6 mA
±200 nA
Laser Generators
V CE(sat)
I C
= 64A, V GE = 15V, Note 1
T J = 125 ° C
2.5
3.1
3.0
V
V
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100259(04/10)
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